E. 半導體膠帶
碁達半導體膠帶依晶圓製程分為「晶圓切割」及「背面研磨」兩大應用。透過基材、膠層厚度與黏著／解黏特性設計，在加工過程提供晶圓固定、表面防護及後續移除功能。背面研磨依移除方式與製程再細分為 Non-UV、UV 解黏及 DBG 專用三類。
兩大製程・四類膠帶方案
01｜晶圓切割
切割時穩定固定、UV 後降低黏著
02｜Non-UV 背面研磨
無須 UV 曝光，依製程條件剝離
03｜UV 解黏背磨
UV 曝光降低黏著，便於研磨後移除
04｜先切後磨（DBG）
支援半切割、背磨與晶片分離
選型考量：晶圓／凸塊結構、膠層緩衝性、基材、黏著力、解黏設備與殘膠管制。
半導體膠帶｜製程選型總表
依製程與解黏方式快速選擇合適的膠帶系列。
| 產品分類 | 解黏方式 | 代表型號／選型重點 |
|---|---|---|
| e1｜晶圓切割膠帶 | UV 解黏 |
UO090 UO110
支撐晶圓切割；365 nm UV 曝光後降黏
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| e2｜Non-UV 研磨膠帶 | 不需 UV |
NO205-BC NO170-TC NO130-TC NT595-DL
背面研磨防水、緩衝與翹曲／殘膠控制
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| e3｜UV 研磨膠帶 | UV 解黏 |
UT170-DL UT260-DL UT440-DL UO210-DL
背面研磨期間固定；曝光後便於移除
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| e4｜DBG 專用研磨膠帶 | UV 解黏 |
UC165-DL
先切後磨（DBG），支援半切割、背磨及晶片分離
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註：本表僅供製程初步選型，產品厚度、黏著力及測試條件請以各型號最新技術資料表（TDS）為準。
膠帶產品結構參考圖
產品結構示意圖 1
半導體膠帶｜BG 與 DBG 製程比較
傳統背面研磨（BG）與先切後磨（DBG）
晶圓背面研磨膠帶主要在薄化製程中提供表面保護、防水、固定與應力緩衝。依製程順序可分為傳統背面研磨（Back Grinding，BG）與先切後磨（Dicing Before Grinding，DBG）；而 UV／Non-UV 則是研磨膠帶的解黏方式差異，兩者屬於不同分類維度。
傳統背面研磨（BG）
晶圓正面貼附保護膠帶後進行背面研磨。可依設備及後續剝離需求，選擇 Non-UV 研磨膠帶（NO、NT 系列）或 UV 解黏研磨膠帶（UT、UO 系列）。
先切後磨（DBG）
依先半切、再背磨與晶片分離的製程需求，選擇 DBG 專用研磨膠帶（UC 系列），重視晶片邊緣保護、製程固定與研磨後移除。
BG／DBG 製程差異示意
背磨膠帶材料結構對照
不同系列依製程及解黏需求採用不同膠層結構與基材，以下整理系列層級的選型資訊。
| 產品系列 | 製程／解黏方式 | 膠層結構 | 基材 |
|---|---|---|---|
| NO | BG／Non-UV | 單層 | PO |
| NT | BG／Non-UV | 雙層 | PET |
| UT | BG／UV 解黏 | 雙層 | PET |
| UO | BG／UV 解黏 | 雙層 | PO |
| UC | DBG／UV 解黏 | 雙層 | Composite PET |
備註：表列為系列層級的典型結構資訊；實際膠層厚度、基材及黏著／解黏條件，請以各型號最新技術資料表（TDS）為準。
