E. 半导体胶带
碁达半导体胶带按晶圆工艺分为“晶圆切割”与“背面研磨”两大应用。通过基材、胶层厚度及粘着／解粘特性设计，在加工过程中提供晶圆固定、表面保护与后续移除功能。背面研磨再按移除方式与工艺细分为 Non-UV、UV 解粘及 DBG 专用三类。
两大工艺・四类胶带方案
01｜晶圆切割
切割时稳定固定、UV 后降低粘着
02｜Non-UV 背面研磨
无需 UV 曝光，按工艺条件剥离
03｜UV 解粘背磨
UV 曝光降低粘着，便于研磨后移除
04｜先切后磨（DBG）
支持半切割、背磨与晶片分离
选型因素：晶圆／凸块结构、胶层缓冲性、基材、粘着力、解粘设备和残胶控制。
半导体胶带｜制程选型总表
根据制程与解粘方式快速选择合适的胶带系列。
| 产品分类 | 解粘方式 | 代表型号／选型重点 |
|---|---|---|
| e1｜晶圆切割胶带 | UV 解粘 |
UO090 UO110
支撑晶圆切割；经 365 nm UV 曝光后降低粘附力
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| e2｜Non-UV 研磨胶带 | 无需 UV |
NO205-BC NO170-TC NO130-TC NT595-DL
背面研磨过程中的防水、缓冲及翘曲／残胶控制
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| e3｜UV 研磨胶带 | UV 解粘 |
UT170-DL UT260-DL UT440-DL UO210-DL
背面研磨期间固定；曝光后便于移除
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| e4｜DBG 专用研磨胶带 | UV 解粘 |
UC165-DL
先切后磨（DBG），支持半切割、背磨及芯片分离
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注：本表仅供制程初步选型，产品厚度、粘附力及测试条件请以各型号最新技术资料表（TDS）为准。
胶带产品结构参考图
产品结构示意图 1
半导体胶带｜BG 与 DBG 制程比较
传统背面研磨（BG）与先切后磨（DBG）
晶圆背面研磨胶带主要在薄化制程中提供表面保护、防水、固定与应力缓冲。根据制程顺序可分为传统背面研磨（Back Grinding，BG）与先切后磨（Dicing Before Grinding，DBG）；而 UV／Non-UV 则是研磨胶带的解粘方式差异，两者属于不同的分类维度。
传统背面研磨（BG）
晶圆正面贴附保护胶带后进行背面研磨。可根据设备及后续剥离需求，选择 Non-UV 研磨胶带（NO、NT 系列）或 UV 解粘研磨胶带（UT、UO 系列）。
先切后磨（DBG）
根据先半切、再背磨与芯片分离的制程需求，选择 DBG 专用研磨胶带（UC 系列），重视芯片边缘保护、制程固定与研磨后移除。
BG／DBG 制程差异示意
背磨胶带材料结构对照
不同系列根据制程及解粘需求采用不同胶层结构与基材，以下整理系列层级的选型信息。
| 产品系列 | 制程／解粘方式 | 胶层结构 | 基材 |
|---|---|---|---|
| NO | BG／Non-UV | 单层 | PO |
| NT | BG／Non-UV | 双层 | PET |
| UT | BG／UV 解粘 | 双层 | PET |
| UO | BG／UV 解粘 | 双层 | PO |
| UC | DBG／UV 解粘 | 双层 | Composite PET |
备注：表列为系列层级的典型结构信息；实际胶层厚度、基材及粘附／解粘条件，请以各型号最新技术资料表（TDS）为准。
